特許
J-GLOBAL ID：200903089558927905
エナメル絶縁電線の接続端末処理方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
森本 義弘
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-042993
公開番号（公開出願番号）：特開平7-075231
出願日： 1994年03月15日
公開日（公表日）： 1995年03月17日
要約：
【要約】【目的】 エナメル電線の絶縁皮膜処理に於いて、パルスYAGレーザ光を利用し、容易に絶縁皮膜層の剥離を行うことを目的とする。【構成】 パルス幅が比較的長く単一パルスのエネルギーが大きいパルスYAGレーザ光2を用い、集光されたパルスYAGレーザ光2を一定角度内にて部分的に回転させる回転軸を有する反射ミラー10に反射させ、集光点をエナメル絶縁層の剥離が必要な長さ分だけ移動照射し、絶縁皮膜層の剥離を行う。
請求項（抜粋）：
線径1mm以下のエナメル絶縁電線にパルス線1〜10msで単一パルスエネルギーの大きいパルスYAGレーザ光を照射し、エナメル絶縁層を剥離することを特徴とするエナメル絶縁電線の接続端末処理方法。
IPC (4件)：
H02G 1/12 302
, B23K 26/00
, H02G 1/14
, H01S 3/00
