MOSトランジスタおよびその製造方法

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：京本直樹 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-007025
公開番号（公開出願番号）：特開平5-211328
出願日： 1992年01月20日
公開日（公表日）： 1993年08月20日
要約：

【要約】【構成】真性シリコン基板1にフィールド酸化膜2を形成したのち、ゲート絶縁膜3およびゲート電極4を形成したのち、DSA領域5を形成する。つぎにタングステンからなるサイドウォール6およびフォトレジスト7をマスクとして、45°の角度で斜めからボロンをイオン注入して、チャネル領域のソース端に不純物濃度がドレイン側に向って高くなるVT 制御領域8を形成する。そのあとソース9、ドレイン10を形成し、層間絶縁膜11のコンタクト開口を通して金属配線12を形成する。【効果】アニールで横方向に不純物が拡散しても、より深い領域からチャネル表面に不純物が拡散して、補償することができる。しきい値電圧が熱処理工程に対して安定になり、ばらつきも小さくなった。

請求項（抜粋）：

半導体基板表面にソース・ドレイン拡散層、ゲート絶縁膜、、ゲート電極が形成され、チャネル領域の不純物濃度がソース側で高く、ドレイン側に向って低くなっていて、さらに前記チャネル領域のソース近傍に不純物濃度がドレイン側に向って一定で、かつ前記半導体基板表面から深さ方向に不純物濃度が次第に高くなっている局所チャネル領域が形成されたDSA型のMOSトランジスタ。

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