特許
J-GLOBAL ID：200903089569704835
グロー放電を利用するフレキシブル回路基板の製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
山本 秀策
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-347521
公開番号（公開出願番号）：特開平5-251843
出願日： 1991年12月27日
公開日（公表日）： 1993年09月28日
要約：
【要約】【目的】 ポリイミドフィルムの片面または両面上に金属薄膜層を有し、ポリイミドフィルムと金属薄膜層との間の接着性が良好であるフレキシブル回路基板の製造方法に関する。【構成】 ポリイミドフィルムの片面もしくは両面上に金属層を有するフレキシブル回路基板の製造において、このポリイミドフィルムの表面を窒素酸化物を含むガスのグロー放電に暴露した後、この表面上に銅ニッケル合金薄膜を形成し、この銅ニッケル薄膜上に銅薄膜を形成することによる、フレキシブル回路基板の製造方法に関する。
請求項（抜粋）：
ポリイミドフィルムの片面を一種類またはそれ以上の窒素酸化物を含むガスのグロー放電に暴露した後、該ポリイミドフィルムの片面上に、銅ニッケル合金をターゲット材料とするスパッタリングによって銅ニッケル合金薄膜を形成し、該銅ニッケル合金薄膜の上に、銅をターゲット材料とするスパッタリングによって銅薄膜を積層することを特徴とするフレキシブル回路基板の製造方法。
IPC (4件)：
H05K 3/00
, H05K 1/09
, H05K 3/24
, H05K 3/38
