シリコンウエーハの表面処理方法

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：森正澄
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-145956
公開番号（公開出願番号）：特開平7-045572
出願日： 1993年06月17日
公開日（公表日）： 1995年02月14日
要約：

【要約】【目的】フッ酸洗浄後の疎水性のシリコンウエーハ表面を親水性とする処理を行うことにより、シリコンウエーハ表面の重金属を除去し、且つパーティクル汚染に強く、良品性を高め得る温純水によるシリコンウエーハの表面処理方法を提供すること。【構成】薬品洗浄液によりシリコンウエーハの自然酸化膜及び重金属を除去する洗浄後のシリコンウエーハの表面処理方法であって、前記薬品洗浄液にて洗浄されたシリコンウエーハを、温度40°C以上の温純水に10分間以上浸漬する構成とされている。

請求項（抜粋）：

薬品洗浄液によりシリコンウエーハの自然酸化膜及び重金属を除去する洗浄後のシリコンウエーハの表面処理方法であって、前記フッ酸等の薬品洗浄液にて洗浄されたシリコンウエーハを、温度40°C以上の温純水に10分間以上浸漬することを特徴とするシリコンウエーハの表面処理方法。

IPC (2件)：

H01L 21/304 341 , H01L 21/304

引用特許：

審査官引用 (3件)

特開昭63-133534
特開昭63-254734
特開昭62-198127

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