特許
J-GLOBAL ID：200903089594782093
面発光型半導体発光素子およびその製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
牛久 健司
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-285444
公開番号（公開出願番号）：特開平5-102605
出願日： 1991年10月07日
公開日（公表日）： 1993年04月23日
要約：
【要約】【目的】 製造工程が容易で,微小発光径を有し,低オーミック抵抗,高出力の面発光型半導体発光素子を提供する。【構成】 活性層3の上部にp-AlGaAs上部クラッド層4,n-AlGaAsブロック層5およびp-AlGaAsキャップ層6を順次堆積することによりpn電流阻止層を形成し,その上面の一部分にλ/(4n)の厚さを有するZn拡散源(無反射コート)7Aを形成し,この拡散源7Aの下の上部クラッド層4にまで達する電流注入領域(Zn拡散領域)10を形成し,最後に拡散源7Aを除いた上面全体および下面全体にそれぞれ電極8,9を蒸着する。
請求項（抜粋）：
半導体基板上に形成された発光層の上部に,駆動電流阻止用のpn接合が形成され,このpn接合を形成する一方の半導体層の導電型を反転することにより形成された電流通路がpn接合の一部を貫通して設けられ,最上層の半導体層の上記電流通路の上方にあたる表面に低反射膜が形成され,この低反射膜の部分を除いて上記最上層の半導体層の表面に電極が形成されている面発光型半導体発光素子。
引用特許：
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