特許

J-GLOBAL ID：200903089596386713

接合方法

発明者： 大橋 修
出願人/特許権者： 科学技術庁金属材料技術研究所長
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-264003
公開番号（公開出願番号）：特開平7-096378
出願日： 1993年09月29日
公開日（公表日）： 1995年04月11日
要約：

【要約】【目的】 イオン照射により材料内に注入されたイオンによる元素を取り除き、清浄化を維持しながら、接合面の材料特性を回復させて接合性を改善する。さらに、接合に適用される金属接合材料を従来のAlやPbや半田等のみならずCu、Ni、Fe、Zn等の任意の金属に拡大する。【構成】 金属と金属、もしくは金属とセラミックスからなる接合材料の接合面をイオン若しくは中性原子で照射して清浄化した後、その照射した接合材料を接合材料の融点(K)の30%以上の温度(K)に加熱処理した後、拡散接合もしくは常温接合する。

請求項（抜粋）：

金属と金属、もしくは金属とセラミックスからなる接合材料の接合面をイオンもしくは中性原子で照射して清浄化した後、接合材料の融点(K)の30%以上の温度(K)に加熱した後、拡散接合若しくは常温接合することを特徴とする接合方法。

IPC (4件)：

B23K 20/00 310 ,  B23K 20/00 350 ,  C04B 37/02 ,  B23P 11/00