誘電体薄膜の製造方法

発明者： , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：池内寛幸 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-321577
公開番号（公開出願番号）：特開平6-168879
出願日： 1992年12月01日
公開日（公表日）： 1994年06月14日
要約：

【要約】【目的】多元イオンビームスパッタリング法によってペロブスカイト型誘電体薄膜を安定に形成するための条件を提供すると共に、低い基板温度での誘電体薄膜の製造方法を提供する。【構成】基板10としてMgO(100)単結晶基板を用い、ターゲット5、6、7及び8としてそれぞれPb、La、Zr及びTiの金属ターゲットを用いた。そして、イオン源1、2、3及び4からアルゴンイオンビームを照射し、各ターゲットを構成する元素を独立に蒸発させて基板10上にPbTiO3 誘電体薄膜9を形成する。この場合、基板10を加熱せずに、エキシマレーザ12によるパルス紫外線を、50〜500mJ/cm2 の範囲で基板10に照射する。

請求項（抜粋）：

一般式ABO3 で構成されるペロブスカイト型複合化合物からなる誘電体薄膜の製造方法であって、Aサイト(但し、Pb、Ba、Sr又はLaのうち少なくとも1種類の元素を含む。)及びBサイト(但し、Ti及びZrのうち少なくとも1種類の元素を含む。)を構成する元素からなる複数の金属ターゲットを酸化性ガスを含む減圧下の形成槽内に配置し、各々のターゲットに不活性ガスイオンを照射することによってそれぞれの金属ターゲットを構成する元素を独立に蒸発させ、基板上にペロブスカイト型複合化合物薄膜を形成することを特徴とする誘電体薄膜の製造方法。

引用特許：

審査官引用 (5件)

特開昭64-006397
特開昭61-047005
特開平3-173770

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