特許
J-GLOBAL ID:200903089618041081

電極形成方法

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 土井 育郎
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平4-143639
公開番号(公開出願番号):特開平5-314893
出願日: 1992年05月11日
公開日(公表日): 1993年11月26日
要約:
【要約】【目的】 電極材料の選定範囲を広げるとともに、均一で放電効率のよい電極を簡単に形成する。【構成】 厚膜形成工程及び焼成工程を経て基板11上に電極12をパターン形成した後、電極表面の酸化層を除去する。除去する手段としてはサンドブラスト法を用いる。酸化層が除去されることにより表面抵抗の低い電極が形成され、PDPの放電効率が高まる。均一な電極表面が得られるので、従来行われているパネル化後のエージング処理が不要となる。また、表面酸化を防止するための雰囲気焼成等の特別な工程を必要としなくなり、表面酸化の問題でPDPの電極材料として使用できないような物質を使用することが可能になる。
請求項(抜粋):
厚膜形成工程及び焼成工程を経て基板上に電極をパターン形成した後、電極表面の酸化層を除去することを特徴とする電極形成方法。
IPC (2件):
H01J 9/02 ,  H05K 3/26
引用特許:
審査官引用 (4件)
  • 特開昭64-045037
  • 特開昭53-083573
  • 特開昭54-056937
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