特許
J-GLOBAL ID：200903089620426900
半導体装置製造用レチクルおよびマスク
発明者：
出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-342684
公開番号（公開出願番号）：特開平5-173317
出願日： 1991年12月25日
公開日（公表日）： 1993年07月13日
要約：
【要約】【構成】 あらかじめウェーハの段差に応じた段差をつけた石英ガラス1に素子形成用パターン2をクロム膜で焼き付けた半導体装置用レチクル。【効果】 ウェーハ内に段差がある半導体素子を露光装置で投影露光する際に、焦点ボケを発生させずにパターニングできる。その結果、ウェーハ全面に一様なパターンを解像でき、歩留向上に寄与できる。
請求項（抜粋）：
段差のあるウェーハを投影露光するレチクルであって、ウェーハの段差に応じた段差をつけた面にパターンを形成したことを特徴とする半導体装置製造用レチクル。
IPC (3件)：
G03F 1/14
, G03F 1/08
, H01L 21/027
