特許

J-GLOBAL ID：200903089620769343

半導体装置の製造方法およびその実施に用いる製造装置

発明者： 船津 勝彦 ,  団野 忠敏 ,  岡 浩偉
出願人/特許権者： 株式会社日立製作所 ,  日立東部セミコンダクタ株式会社
代理人 (1件)： 秋田 収喜
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-110706
公開番号（公開出願番号）：特開平9-298208
出願日： 1996年05月01日
公開日（公表日）： 1997年11月18日
要約：

【要約】【課題】 導電性ろう材と半導体チップとの間にガスが取り込まれるのを防止して、ボイドの残留をなくすことが可能な技術を提供する。【解決手段】 導電性基板10上に導電性ろう材11を付着した後、この導電性ろう材11を融点以上に加熱した状態で半導体チップ9を傾斜させてその一端部9aを導電性ろう材11上に載置する。次に、半導体チップ9をこの他端部9bを徐々に下降させて全面的に導電性基板10と平行になるように導電性ろう材11上に載置する。これによって、半導体チップ9は一端部9aから徐々に傾斜した状態で導電性ろう材11上に載置されるため、ガスの取り込みは防止できる。

請求項（抜粋）：

導電性基板上に導電性ろう材を介して半導体チップを取り付ける半導体装置の製造方法であって、前記導電性基板上に前記導電性ろう材を付着した後、この導電性ろう材を融点以上に加熱した状態で前記半導体チップを傾斜させてその一端部を導電性ろう材上に載置する工程と、前記半導体チップをこの他端部を徐々に下降させて全面的に前記導電性基板と平行になるように導電性ろう材上に載置する工程とを含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。