特許

J-GLOBAL ID：200903089626079845

薄膜半導体装置

発明者： ▲もたい▼ 友信
出願人/特許権者： 株式会社東芝
代理人 (1件)： 鈴江 武彦 (外6名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-196455
公開番号（公開出願番号）：特開2001-024199
出願日： 1999年07月09日
公開日（公表日）： 2001年01月26日
要約：

【要約】【課題】広い温度範囲において薄膜スイッチ素子の温度補償を可能にする。【解決手段】薄膜半導体装置は電界効果により電流量を制御する薄膜半導体スイッチ素子10と、薄膜半導体スイッチ素子10の少なくとも一端に直列に接続される薄膜抵抗素子12A,12Bとを備える。特に、薄膜抵抗素子12A,12Bは薄膜半導体スイッチ素子10の温度特性の傾きに対して逆の傾きで薄膜半導体スイッチ素子10のオン抵抗値の約半分から約5倍までの範囲の抵抗値に設定される温度特性を持つ。

請求項（抜粋）：

電界効果により電流量を制御する薄膜半導体スイッチ素子と、前記薄膜半導体スイッチ素子の少なくとも一端に直列に接続される薄膜抵抗素子とを備え、前記薄膜抵抗素子は前記薄膜半導体スイッチ素子の温度特性の傾きに対して逆の傾きで前記薄膜半導体スイッチ素子のオン抵抗値の約半分から約5倍までの範囲の抵抗値に設定される温度特性を持つことを特徴とする薄膜半導体装置。

IPC (2件)：

H01L 29/786 ,  G02F 1/1368

FI (3件)：

H01L 29/78 613 Z ,  G02F 1/136 500 ,  H01L 29/78 616 S

Fターム (34件)：

2H092JA26 ,  2H092JA27 ,  2H092JA41 ,  2H092KA05 ,  2H092KA10 ,  2H092NA11 ,  5F110AA30 ,  5F110BB01 ,  5F110BB02 ,  5F110BB04 ,  5F110BB20 ,  5F110CC02 ,  5F110CC08 ,  5F110DD02 ,  5F110GG02 ,  5F110GG13 ,  5F110GG15 ,  5F110GG43 ,  5F110GG44 ,  5F110HJ01 ,  5F110HJ04 ,  5F110HJ30 ,  5F110HK01 ,  5F110HK02 ,  5F110HK04 ,  5F110HL01 ,  5F110HL02 ,  5F110HL04 ,  5F110HM07 ,  5F110NN71 ,  5F110PP01 ,  5F110PP03 ,  5F110PP11 ,  5F110PP15