特許
J-GLOBAL ID：200903089627119387
X線マスクおよびそれを用いたパターン転写方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
中島 洋治 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-219489
公開番号（公開出願番号）：特開平5-062888
出願日： 1991年08月30日
公開日（公表日）： 1993年03月12日
要約：
【要約】【目的】 X線マスクおよびそれを用いたパターン転写方法に関し,X線吸収体の内部応力に起因する位置歪みを抑制し得るようにして高位置精度を実現する。【構成】 転写パターン4が形成されたX線吸収体3と,このX線吸収体3を支持するメンブレン2と,このメンブレン2を支持するシリコン枠1とから構成される。メンブレン2の下部に,このメンブレン2を支持する複数のシリコン梁7がシリコン枠1と一体に形成されいる。X線吸収体3から成る転写パターン4は,シリコン梁7がある領域とシリコン梁が無いパターン描画領域8とから成るチップ9,10を単位として,複数個のチップで1個のデバイスパターンを構成するように形成されている。シリコン梁7がある領域とシリコン梁が無いパターン描画領域8とから成るチップ9,10を単位として位置合わせおよび露光を行い,複数回の位置合わせおよび露光により1個のデバイスパターンを転写する。
請求項（抜粋）：
転写パターンが形成されたX線吸収体と,該X線吸収体を支持するメンブレンと,該メンブレンを支持するシリコン枠とを備えたX線マスクであって,メンブレンの下部に,該メンブレンを支持する複数のシリコン梁がシリコン枠と一体に形成されており,X線吸収体から成る転写パターンは,シリコン梁がある領域とシリコン梁が無いパターン描画領域とから成るチップを単位として,複数個のチップで1個のデバイスパターンを構成することを特徴とするX線マスク。
IPC (2件)：
FI (2件)：
H01L 21/30 331 M
, H01L 21/30 331 J
