特許
J-GLOBAL ID：200903089629550557
半導体レーザー装置
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
青山 葆 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-125751
公開番号（公開出願番号）：特開平6-334269
出願日： 1993年05月27日
公開日（公表日）： 1994年12月02日
要約：
【要約】【目的】 半導体レーザーを透明樹脂で被覆して、低コストで耐環境性の向上した半導体レーザー装置を提供する。【構成】 ステム基体1上に固定されたステム2の側面2aに半導体レーザーチップ3とモニタ用フォトダイオードチップ4とをマウントする。さらに、このステム2の上面2bに検出用フォトダイオードチップ5をマウントする。半導体レーザーチップ3の周囲をシリコーンからなる透明樹脂11で被覆する。ステム基体1上に、ステム2を覆うようにプラスチック製のキャップ6を固定する。このキャップ6の上面に、ステム2に対向する穴6aを設ける。そして、キャップ6上に、この穴6aを覆うように、ホログラム7aを有するガラス7を固定する。
請求項（抜粋）：
半導体レーザーと、上記半導体レーザーのレーザー光をモニタするモニタ用フォトダイオードと、上記半導体レーザーのレーザー光の反射した光を検出する検出用フォトダイオードと、上記半導体レーザーのレーザー光の反射した光を上記検出用フォトダイオードに入射させるホログラムとを備えた半導体レーザー装置において、上記半導体レーザー、上記モニタ用フォトダイオードまたは上記検出用フォトダイオードのうちの少なくとも上記半導体レーザーを透明樹脂で被覆したことを特徴とする半導体レーザー装置。
IPC (3件)：
H01S 3/18
, G11B 7/125
, H01L 33/00
