特許

J-GLOBAL ID：200903089635096213

半導体基板および半導体装置

発明者： 平岡 靖史 ,  松本 聡 ,  酒井 達郎
出願人/特許権者： 日本電信電話株式会社
代理人 (1件)： 高山 道夫 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-218408
公開番号（公開出願番号）：特開2001-044277
出願日： 1999年08月02日
公開日（公表日）： 2001年02月16日
要約：

【要約】【課題】 同一の半導体基板上に設けられた伝導領域間における相互雑音を抑制するために、伝導領域間に絶縁層を用いたり、伝導領域間に設けた絶縁層内に伝導領域を設けたりしていたが、十分な相互雑音の抑制効果が得られていなかった。【解決手段】 単結晶シリコン半導体基板101の第1主面側に充分な伝導性を有する半導体層としてp型単結晶シリコン層102を有し、p型単結晶シリコン層102上に絶縁膜としてシリコン酸化膜103を有し、シリコン酸化膜103上に単結晶シリコン層104を有し、単結晶シリコン層104内に伝導領域として第1,と第2のn型の高濃度領域105,106を有し、両高濃度領域間に絶縁層としてシリコン酸化物層107を有し、シリコン酸化物層107中にp型の高濃度領域のガードリング108を有し、p型単結晶シリコン層102に接続されたガードリング108が端子109を介してグランドに接地される。

請求項（抜粋）：

単結晶半導体基板の第1主面側に第1の絶縁膜を有し、この第1の絶縁膜上に形成された第1の単結晶半導体層を有し、この第1の単結晶半導体層内に設けられた第1の絶縁層を有し、この各々の第1の絶縁層に接して伝導性を有する第1の伝導領域と第2の伝導領域を有し、第1の絶縁層内および第1の絶縁膜内に前記単結晶半導体基板に接する第3の伝導領域を有し、さらに少なくとも前記第3の伝導領域下部と前記単結晶半導体基板の間に充分な伝導性を有する半導体層を有し、前記充分な伝導性を有する半導体層が電気的に接続されている前記第3の伝導領域がグランドに接地されていることを特徴とする半導体基板。

IPC (3件)：

H01L 21/76 ,  H01L 27/12 ,  H01L 29/786

FI (3件)：

H01L 21/76 M ,  H01L 27/12 C ,  H01L 29/78 621

Fターム (13件)：

5F032AA01 ,  5F032AC04 ,  5F032BB01 ,  5F032CA17 ,  5F110AA30 ,  5F110CC02 ,  5F110CC10 ,  5F110DD05 ,  5F110DD22 ,  5F110GG02 ,  5F110GG12 ,  5F110NN62 ,  5F110NN63