特許
J-GLOBAL ID：200903089635137238

静電対策表面実装型LED

発明者：
安武 正廣

安武 正廣 について

, 
栗山 真樹

栗山 真樹 について


出願人/特許権者：
スタンレー電気株式会社

スタンレー電気株式会社 について


公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-202499
公開番号（公開出願番号）：特開2001-036140
出願日： 1999年07月16日
公開日（公表日）： 2001年02月09日
要約：
【要約】 (修正有)【課題】実装するための絶縁性基板面積が大きく超小型で且つ静電対策を施した表面実装型LED提供する。【解決手段】絶縁性基板表面に第一の端子電極1と第二の端子電極2を配置して、絶縁性基板10の表面に窒化ガリウム系化合物半導体3を実装し、窒化ガリウム系化合物半導体3に設けられたp型電極8およびn型電極9と第一の端子電極1および第二端子電極2に夫々電気的に接続され、絶縁性基板10の下部に第一の端子電極1および第二の端子電極2と導通する第一および第二の下部端子電極1a、2aが設けられ、窒化ガリウム系化合物半導体3の保護素子5を第一及び第二の下部端子電極1a、2aに電気的に接続して絶縁性基板の表面の略中心位置に窒化ガリウム系化合物半導体3を配置し、電気的接続が導電性ワイヤ4や、少なくとも導電性のバンプまたは、導電性ペ-スト、異方性導電膜によって行われる静電対策表面実装型LED。
請求項（抜粋）：
化合物半導体を実装する静電対策表面実装型LEDにおいて、絶縁性基板表面に第一の端子電極と第二の端子電極を配置して、該絶縁性基板の表面に前記化合物半導体を実装し、該化合物半導体に設けられたp型電極およびn型電極と該第一の端子電極および第二端子電極に夫々電気的に接続され、該絶縁性基板の下部に該第一の端子電極および第二の端子電極と導通する第一および第二の下部端子電極が設けられ、該化合物半導体の保護素子を該第一及び第二の下部端子電極に電気的に接続して設けたことを特徴とする静電対策表面実装型LED。
FI (2件)：
H01L 33/00 C ,  H01L 33/00 N
Fターム (17件)：
5F041AA21 ,  5F041AA23 ,  5F041AA25 ,  5F041CA34 ,  5F041CA35 ,  5F041CA37 ,  5F041CA46 ,  5F041DA02 ,  5F041DA04 ,  5F041DA07 ,  5F041DA12 ,  5F041DA20 ,  5F041DA43 ,  5F041DA44 ,  5F041DA55 ,  5F041DA83 ,  5F041DB09
引用特許：
審査官引用 (6件)
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