特許

J-GLOBAL ID：200903089635789812

非晶質炭素膜及びその製造方法及び半導体装置

発明者： 遠藤 和彦 ,  辰巳 徹
出願人/特許権者： 日本電気株式会社
代理人 (1件)： 京本 直樹 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-049764
公開番号（公開出願番号）：特開平9-246263
出願日： 1996年03月07日
公開日（公表日）： 1997年09月19日
要約：

【要約】【課題】 低比誘電率で膜中水分が少なく、かつ耐熱性に優れた配線層間絶縁膜材料と、それを配線層間絶縁膜とする半導体装置を提供する。【解決手段】 真空装置内にあらかじめトランジスタ、およびアルミニウム等で配線を形成したシリコン基板を設置し、続いて真空装置中にフルオロカーボンやSF6 等のフッ素系ガスを流入させ、さらにベンゼン環を含有する芳香族炭化水素を同様に流入させる。続いてこれらのガスを放電させてプラズマ化し、プラズマ中に生成されたこれらの原料ガスの活性種により含フッ素非晶質炭素膜中にベンゼン環を含有させ、半導体装置用の配線間の層間絶縁膜とする。ベンゼン環含有含フッ素非晶質炭素膜を、半導体装置の多層配線用の配線間絶縁膜に用いることにより、半導体装置の信号遅延を低減させる。

請求項（抜粋）：

含フッ素非晶質炭素膜中にベンゼン環が含有されていることを特徴とする含フッ素非晶質炭素膜。