特許

J-GLOBAL ID：200903089637577111

はんだバンプ構造及びその製造方法

発明者： 手塚 伸治
出願人/特許権者： 株式会社リコー
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-132926
公開番号（公開出願番号）：特開平10-308396
出願日： 1997年05月07日
公開日（公表日）： 1998年11月17日
要約：

【要約】【課題】 半導体チップ上に容易に形成でき、かつ信頼性が高く、高密度化への対応が可能なはんだバンプ構造を提供する。【解決手段】 アルミニウム(Al)を主体とする電極2に接して、亜鉛(Zn)、銀(Ag)、アンチモン(Sb)のうちの少なくとも一つの元素を含んで形成された導電性の中間層3が設けられ、さらにこの中間層3に接して、はんだ合金から成る導電性ボールが配される。導電性ボールは、リフローにより半球状の導電性凸部4とされる。

請求項（抜粋）：

アルミニウム(Al)を主体とする電極に接して該電極上に、導電性の中間層が設けられ、さらに該中間層に接して、はんだ合金から成る導電性ボールが配され、かつ前記中間層が、亜鉛(Zn)、銀(Ag)、アンチモン(Sb)のうちの少なくとも一つの元素を含んで形成されたことを特徴とする半導体のはんだバンプ構造。

IPC (4件)：

H01L 21/321 ,  B23K 26/00 ,  H01L 21/60 311 ,  H05K 3/34 512

FI (5件)：

H01L 21/92 603 D ,  B23K 26/00 H ,  H01L 21/60 311 S ,  H05K 3/34 512 C ,  H01L 21/92 604 M