特許
J-GLOBAL ID:200903089638142194
プラズマの電磁波を生成および/または操作する装置
発明者:
,
出願人/特許権者:
代理人 (1件):
特許業務法人原謙三国際特許事務所
公報種別:公表公報
出願番号(国際出願番号):特願2006-508117
公開番号(公開出願番号):特表2006-526281
出願日: 2004年05月27日
公開日(公表日): 2006年11月16日
要約:
本発明は、半導体素子のリソグラフィーによる製造に用いるプラズマの電磁波を生成および/または操作する装置、特に、EUVリソグラフィーに用いるEUV放射線を生成および反射する装置が、装置および/または他の素子の少なくとも1つの表面をプラズマ(3)の電荷担体から遮蔽するように、少なくとも1つの不均一な磁界(11)を生成する磁気手段(10)を備えている。これにより、装置および/または他の素子の寿命が長くなる。
請求項(抜粋):
半導体素子のリソグラフィーによる製造に用いるプラズマの電磁波を生成および/または操作する装置、特に、EUVリソグラフィーに用いるEUV放射線を生成および反射する装置であって、
装置(1;5;12)および/または他の素子(5;12)の少なくとも1つの表面をプラズマ(3)の電荷担体から遮蔽するように、少なくとも1つの不均一な磁界(11)を生成する磁気手段(10)を備えていることを特徴とする装置。
IPC (4件):
H01L 21/027
, G03F 7/20
, G21K 1/00
, G21K 5/02
FI (6件):
H01L21/30 531S
, G03F7/20 521
, H01L21/30 531A
, G21K1/00 E
, G21K1/00 A
, G21K5/02 X
Fターム (4件):
5F046GA20
, 5F046GB01
, 5F046GB09
, 5F046GC03
引用特許:
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