特許
J-GLOBAL ID：200903089639786443
アミド誘導体の製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
有賀 三幸 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-291387
公開番号（公開出願番号）：特開平6-135914
出願日： 1992年10月29日
公開日（公表日）： 1994年05月17日
要約：
【要約】 (修正有)【構成】 下記反応式に従ってアミノアルコール(2)に、カルボン酸エステル(3)又はラクトン(4)を塩基性触媒の存在下反応させ、反応終了物を目的化合物であるアミド誘導体(1)又は(1′)のみが固体状態で析出するような温度にて1時間以上保持するアミド誘導体(1)又は(1′)の製造方法を提供する。〔式中、R3は直鎖又は分岐鎖の飽和又は不飽和の水酸基を有していてもよい炭化水素基を示し、R5は低級炭化水素基を示す。R1は直鎖若しくは分岐鎖の炭化水素基又は水素原子を示し、R2は直鎖又は分岐鎖の二価の炭化水素基を示す。R4は直鎖又は分岐鎖の飽和又は不飽和の水酸基を有していてもよい二価の炭化水素基を示す。〕【効果】 アミド誘導体(1)又は(1′)を高選択的に、高収率かつ高純度で得られる。
請求項（抜粋）：
次の一般式(2)【化1】〔式中、R1 は直鎖若しくは分岐鎖の炭化水素基又は水素原子を示し、R2 は直鎖又は分岐鎖の二価の炭化水素基を示す〕で表わされるアミノアルコールに、次の一般式(3)【化2】〔式中、R3 は直鎖又は分岐鎖の飽和又は不飽和の水酸基を有していてもよい炭化水素基を示し、R5 は低級炭化水素基を示す〕で表わされるカルボン酸エステル又は次の一般式(4)【化3】〔式中、R4 は直鎖又は分岐鎖の飽和又は不飽和の水酸基を有していてもよい二価の炭化水素基を示す〕で表わされるラクトンを塩基性触媒の存在下反応させ、反応終了物を目的化合物であるアミド誘導体(一般式(1)又は(1′))のみが固体状態で析出するような温度にて1時間以上保持することを特徴とする次の一般式(1)【化4】〔式中、R1 、R2 及びR3 は前記と同じ意味を有する〕で表わされるアミド誘導体又は次の一般式(1′)【化5】〔式中、R1 、R2 及びR4 は前記と同じ意味を有する〕で表わされるアミド誘導体の製造方法。
IPC (7件)：
C07C233/18
, B01J 23/02
, B01J 31/12
, C07C231/02
, C07C233/20
, C07C235/08
, C07B 61/00 300
