特許
J-GLOBAL ID：200903089641625430
CCD固体撮像素子
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
尾川 秀昭
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-191476
公開番号（公開出願番号）：特開平6-014269
出願日： 1992年06月25日
公開日（公表日）： 1994年01月21日
要約：
【要約】【目的】 垂直転送レジスタが2層ポリシリコン電極構造で4相垂直転送クロックにより転送制御されるタイプのCCD固体撮像素子において、水平転送期間中に受光素子から垂直方向の画素間分離部を経て垂直転送レジスタに至るリークパスが生じるのを防止し、スミアの低減を図る。【構成】 水平転送期間?@中における第1層目のポリシリコン層1Polyが受ける垂直転送クロックの第2相クロックVφ2と第4相クロックVφ4をロウレベルに、第2層目のポリシリコン層2Polyが受ける第1相クロックVφ1と第3相クロックVφ3をハイレベルにする。【効果】 垂直方向の画素間分離部のポテンシャルを決定する1Poly3a、3bが水平転送期間中において共にロウレベルになるので垂直方向分離部を通じてのリークパスがなくなる。
請求項（抜粋）：
画素を成す受光素子がマトリックス状に配置され、各受光素子で検知した信号電荷を受光素子の各垂直列に対応して設けられた垂直転送レジスタに読み出し、該垂直転送レジスタによりその信号電荷を垂直方向に転送し、その垂直方向に転送された信号電荷を水平転送レジスタにより水平方向に転送して外部に出力されるようにされ、上記垂直転送レジスタが2層ポリシリコン電極構造で4相垂直転送クロックにより転送制御されるタイプのCCD固体撮像素子において、水平転送期間中において第1層目のポリシリコン層が受ける垂直転送クロックの第2相クロックVφ2と第4相クロックVφ4をロウレベルに、第2層目のポリシリコン層が受ける第1相クロックVφ1と第3相クロックVφ3をハイレベルにして待機することを特徴とするCCD固体撮像素子
IPC (2件)：
引用特許：
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