特許
J-GLOBAL ID：200903089645772470
エピタキシャル成長装置およびエピタキシャル成長方法
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (3件)：
松山 允之
, 池上 徹真
, 須藤 章
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2007-229706
公開番号（公開出願番号）：特開2009-064850
出願日： 2007年09月05日
公開日（公表日）： 2009年03月26日
要約：
【課題】ガスの排出機構を最適化することにより、エピタキシャル成長膜の均一性を向上させることを可能とするエピタキシャル成長装置を提供する。【解決手段】反応炉12と、この反応炉12内で回転し、上面に複数のウェーハ16を平面的に配置可能なディスク状のサセプタ14と、このサセプタ14の中心位置に突出して非回転で設けられ、原料ガスをサセプタ14上面に沿って複数の方向に噴出するガス供給管18と、サセプタ14の周囲にリング状に設けられ、2より多い数のガス吸引孔20を有し、単一のポンプ34に接続されるガス排出管26を具備することを特徴とするエピタキシャル成長装置。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
反応炉と、
前記反応炉内で回転し、上面に複数のウェーハを平面的に配置可能なディスク状のサセプタと、
前記サセプタの中心位置に突出して非回転で設けられ、原料ガスを前記サセプタ上面に沿って複数の方向に噴出するガス供給管と、
前記サセプタの周囲にリング状に設けられ、2より多い数のガス吸引孔を有し、単一のポンプに接続されるガス排出管を具備することを特徴とするエピタキシャル成長装置。
IPC (1件)：
FI (1件)：
Fターム (8件)：
5F045AA03
, 5F045AF01
, 5F045BB02
, 5F045BB03
, 5F045DP15
, 5F045DQ04
, 5F045EF03
, 5F045EF20
