特許

J-GLOBAL ID：200903089646723023

薄膜トランジスタ

発明者： 南野 裕 ,  山元 英嗣 ,  脇本 竜也 ,  木村 睦 ,  田窪 米治
出願人/特許権者： 松下電器産業株式会社
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-141812
公開番号（公開出願番号）：特開平8-008432
出願日： 1994年06月23日
公開日（公表日）： 1996年01月12日
要約：

【要約】【目的】 薄膜トランジスタの寄生容量のばらつきをなくし、液晶パネルの表示品質を向上させる薄膜トランジスタを提供する。【構成】 薄膜トランジスタのチャンネル保護膜13′はゲート電極8上のみに形成され、ソース電極9およびドレイン電極10がチャンネル保護膜13′の形成している領域の対向する2辺のみとクロスオーバーし、他の辺上には重なっておらず、かつソース電極9およびドレイン電極10ともゲート電極8と十字型にクロスオーバーしている。この構成により、薄膜トランジスタを形成する部分に発生する寄生容量の値は、マスクのアラインメント精度によらず一定とすることができる。

請求項（抜粋）：

薄膜トランジスタのチャンネル領域下部に走査電極を形成するようにパターンニングされたゲート電極と、液晶を駆動するため透明導電膜より成る画素電極に画像信号を伝達するソース電極(あるいはドレイン電極)と、前記画素電極と接続されたドレイン電極(あるいはソース電極)とを有する薄膜トランジスタにおいて、前記薄膜トランジスタのチャンネル保護膜は前記ゲート電極上にのみ形成され、前記ソース電極およびドレイン電極が前記チャンネル保護膜を形成している領域の対向する2辺のみとクロスオーバーして他の辺上には重なっておらず、かつ前記ソース電極およびドレイン電極は共に前記ゲート電極とも十字型にクロスオーバーとなる構造を有することを特徴とする薄膜トランジスタ。