特許
J-GLOBAL ID：200903089657341220

セラミック配線基板およびその製造方法

発明者：
加島 壽人

加島 壽人 について

, 
多賀 茂

多賀 茂 について


出願人/特許権者：
日本特殊陶業株式会社

日本特殊陶業株式会社 について


公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-074550
公開番号（公開出願番号）：特開平10-051088
出願日： 1997年03月10日
公開日（公表日）： 1998年02月20日
要約：
【要約】【課題】Ag、Pd、Auなどの低融点金属を配線材料とする低温焼成のセラミック配線基板において、配線材料とセラミック材料との焼成時の収縮挙動を接近したものとし、配線基板の反りや変形を少なくすること。【解決手段】Ag、Pd、Au、Ptのうちの少なくとも1種からなる導電用金属:100重量部に対し、WおよびまたはMoの化合物を金属換算で3〜5重量部と、ガラス組成物:1〜10重量部とを含有するメタライズ部を有することを特徴とするセラミック配線基板とする。Wの化合物がWO3およびまたはWSi2を含有するものであること。Moの化合物がMoSi2を含有するものであること。
請求項（抜粋）：
Ag、Pd、Au、Ptのうちの少なくとも1種からなる導電用金属:100重量部に対し、WおよびまたはMoの化合物を金属Wまたは金属Moに換算して3〜5重量部と、ガラス組成物:1〜10重量部とを含有するメタライズ部を有することを特徴とするセラミック配線基板。
IPC (2件)：
H05K 1/09 ,  H05K 3/12
FI (2件)：
H05K 1/09 B ,  H05K 3/12 B
引用特許：
審査官引用 (4件)
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