特許

J-GLOBAL ID：200903089658165905

大容量DRAM用のリードフレーム材及び大容量DRAM

発明者： 山田 廣志 ,  石田 和久 ,  山迫 義和
出願人/特許権者： 大同特殊鋼株式会社
代理人 (1件)： 足立 勉
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-072133
公開番号（公開出願番号）：特開平7-283359
出願日： 1994年04月11日
公開日（公表日）： 1995年10月27日
要約：

【要約】【目的】 4M,16MDRAMのパッケージ割れ防止と底価格化を図る。【構成】 Ni含有量が33〜36wt%のFe-Ni合金を板厚0.15mmのリードフレーム材に圧延し、打ち抜き加工を施した後、アイランドへDRAM用Siチップを接合するダイボンディングと、リードをSiチップに接合するワイヤボンディングとを実施する。ダイボンディングにはAgペースト接着法を採用し、150〜200°Cの加熱状態となり、ワイヤボンディングにはAu線熱圧着ボンディング法を採用し、250〜300°Cの加熱状態となる。次に、リードフレームをエポキシ樹脂モールディング用の金型内にセットし、エポキシ樹脂をこの金型内に充填し、400°Cに加熱してパッケージ化する。【効果】 30〜400°Cでの熱膨張係数がエポキシ樹脂と等しく、30〜200°Cでの熱膨張係数がSiチップと等しいので、チップ割れもパッケージ割れも生じない。

請求項（抜粋）：

Ni含有量が33〜36wt%のFe-Ni合金にて形成した大容量DRAM用のリードフレーム材。

IPC (2件)：

H01L 23/50 ,  C22C 38/08

引用特許：

審査官引用 (4件)

• 特開平2-036542
  
• 特開昭62-037954
  
• 特開平2-036542
  
• 特開昭62-037954