特許
J-GLOBAL ID：200903089658480606
半導体集積回路装置
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
有我 軍一郎
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-060240
公開番号（公開出願番号）：特開平10-256896
出願日： 1997年03月14日
公開日（公表日）： 1998年09月25日
要約：
【要約】【課題】 半導体集積回路装置の省電力性と高速性の両立を図る。【解決手段】 CMOS型論理回路の高電位電源または低電位電源を高低二つとし、該高低二つの電源のそれぞれを個別のMOSトランジスタを介して前記CMOS型論理回路に供給し、高速動作モードで用いる場合は前記高低二つのうち高い方の高電位電源または低い方の低電位電源を供給するように前記MOSトランジスタをオンオフ制御する一方、省電力動作モードで用いる場合は前記高低二つのうち低い方の高電位電源または高い方の低電位電源を供給するように前記MOSトランジスタをオンオフ制御する。論理回路の電源電圧が高低二つに切り換えられるため、高い電圧で動作するときは高速性が確保され、一方、低い電圧で動作しているときは省電力性が確保される。
請求項（抜粋）：
CMOS型論理回路の高電位電源または低電位電源を高低二つとし、該高低二つの電源のそれぞれを個別のMOSトランジスタを介して前記CMOS型論理回路に供給し、高速動作モードで用いる場合は前記高低二つのうち高い方の高電位電源または低い方の低電位電源を供給するように前記MOSトランジスタをオンオフ制御する一方、省電力動作モードで用いる場合は前記高低二つのうち低い方の高電位電源または高い方の低電位電源を供給するように前記MOSトランジスタをオンオフ制御するように構成したことを特徴とする半導体集積回路装置。
IPC (2件)：
FI (2件)：
H03K 19/017
, H03K 19/00 A
