電界効果トランジスタおよびその製造方法

発明者： , ,
出願人/特許権者：
代理人 (3件)：山崎宏 , 前田厚司 , 仲倉幸典
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-178111
公開番号（公開出願番号）：特開2005-019446
出願日： 2003年06月23日
公開日（公表日）： 2005年01月20日
要約：

【課題】製造時に半導体層へのダメージが少ない電界効果トランジスタと、その製造方法を提供すること。【解決手段】絶縁性基板1上に、絶縁性材料からなる矩形体2を設け、この矩形体の上面と、側面と、この矩形体2の両側の絶縁性基板1の表面とに渡って、第1の電極3を形成する。第1の電極3の表面を覆うと共に、凸形状をなす絶縁層4を形成する。絶縁層4上には、凸部の上面に第2の電極5を設け、この凸部の両側に位置する平坦面上に、第3の電極6を設ける。第2の電極の表面と、第3の電極6の表面と、絶縁層4の凸部の両側面とに接するように、半導体層7を形成する。半導体層7は、第2および第3の電極5,6を形成した後に成膜できるので、電極の加工の際に生じる熱などで半導体層7がダメージを受けることが無い。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

基板上に形成され、凸部を有する第1の電極と、上記第1の電極を覆う絶縁層と、上記絶縁層上に形成され、上記第1の電極の凸部の上方に位置する第2の電極と、上記第1の電極の凸部の両側のうちの少なくとも一方に、上記絶縁層を介して位置すると共に、上記第1の電極の凸部の高さよりも低い第3の電極と、上記第2の電極と第3の電極とに接する一方、上記絶縁層によって上記第1の電極と隔てられた半導体層とを備えることを特徴とする電界効果トランジスタ。

IPC (2件)：

H01L29/786 , H01L51/00

FI (3件)：

H01L29/78 626A , H01L29/78 626C , H01L29/28

Fターム (47件)：

5F110AA01 , 5F110AA04 , 5F110AA16 , 5F110BB01 , 5F110BB03 , 5F110BB05 , 5F110BB10 , 5F110CC09 , 5F110DD01 , 5F110DD02 , 5F110DD14 , 5F110DD25 , 5F110EE01 , 5F110EE02 , 5F110EE03 , 5F110EE04 , 5F110EE05 , 5F110EE06 , 5F110EE07 , 5F110EE08 , 5F110EE22 , 5F110EE43 , 5F110EE44 , 5F110FF01 , 5F110FF02 , 5F110FF03 , 5F110FF22 , 5F110FF23 , 5F110FF24 , 5F110FF27 , 5F110FF30 , 5F110GG02 , 5F110GG04 , 5F110GG05 , 5F110HK01 , 5F110HK02 , 5F110HK03 , 5F110HK04 , 5F110HK05 , 5F110HK06 , 5F110HK07 , 5F110HK09 , 5F110HK32 , 5F110HK33 , 5F110HM12 , 5F110QQ08 , 5F110QQ14

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