特許
J-GLOBAL ID：200903089661563601
配線形成方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
小池 晃 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-206120
公開番号（公開出願番号）：特開平5-029253
出願日： 1991年07月24日
公開日（公表日）： 1993年02月05日
要約：
【要約】【目的】 バリヤメタル構造を有する高アスペクト比の接続孔にAl系材料を均一に埋め込む。【構成】 SiO2 層間絶縁膜3に開口されたコンタクト・ホール3aの内部をスパッタリング法等により薄いTi層4で被覆した後、たとえばジシクロペンタジエニルチタニウムジアジドを原料物質とする光アシストLPCVD法によりTiNx 層4を成膜する。このTiNx 層4は、スパッタリング法により形成されるものよりも段差被覆性に優れ、コンタクト・ホール3aの内奥部にも十分な厚さに形成される。この後、高温スパッタリングによりAl-1%Si層6を成膜すると、該Al-1%Si層6はTiNx層4との界面反応によりコンタクト・ホール3aの内部へ引き込まれてゆき、最後には鬆(す)を発生させることなくこれを均一に埋め込む。
請求項（抜粋）：
基板上の絶縁膜に開口された接続孔の少なくとも底面および側壁面にCVD法により窒化チタン層を成膜する工程と、前記基板を加熱しながら少なくとも前記接続孔を充填するごとくアルミニウム系材料層を成膜する工程とを有することを特徴とする配線形成方法。
IPC (3件)：
H01L 21/28 301
, H01L 21/28
, H01L 21/90
