特許
J-GLOBAL ID：200903089664625462
基板処理装置
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
油井 透 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-234841
公開番号（公開出願番号）：特開2003-045864
出願日： 2001年08月02日
公開日（公表日）： 2003年02月14日
要約：
【要約】【課題】 ガスノズルの形状を改善して、反応管内に供給したガスを効率良く使用できるようにする。【解決手段】 円筒反応管12を垂設して炉口フランジ13の開口をシールキャップ14で密封し、反応管12内に基板としてのウェーハWを多段に載置したボート15を挿入する。円筒反応管12内の複数のウェーハWにノズル21からガスを供給してウェーハWに薄膜を堆積する。ノズル21は、円筒反応管12の管軸方向に管内壁22に沿って這うように設けられる。また、ノズル21は、管内周方向に45°以上180°以下の広がりを持つノズル空間23を内部に持つ。ノズル21のガス噴出口24は各ウェーハWに対応するよう複数設けられ、各ウェーハWの上にガスを流す。
請求項（抜粋）：
円筒状の反応管内の複数の基板にノズルからガスを供給して前記複数の基板を処理する基板処理装置において、前記ノズルは、前記円筒状反応管の管軸方向に管壁に沿って設けられ、かつ管周方向に45°以上180°以下の広がりを持つノズル空間を内部に持っていることを特徴とする基板処理装置。
IPC (2件)：
FI (2件)：
H01L 21/31 B
, C23C 16/455
4K030AA03
, 4K030AA06
, 4K030AA13
, 4K030BA40
, 4K030CA04
, 4K030EA05
, 4K030EA06
, 4K030FA01
, 4K030GA01
, 4K030KA04
, 4K030KA30
, 4K030LA15
, 5F045AA00
, 5F045AB33
, 5F045AC05
, 5F045AC12
, 5F045BB09
, 5F045BB16
, 5F045DP19
, 5F045EF08
