化合物半導体発光ダイオード

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：寺田實
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-118880
公開番号（公開出願番号）：特開平7-326793
出願日： 1994年05月31日
公開日（公表日）： 1995年12月12日
要約：

【要約】【目的】電流拡散及び電流阻止層の機能を備えたプレーナ形のLEDを得る。【構成】ドナー不純物及びアクセプター不純物の双方が注入されてなる層をクラッド層として利用する。【効果】構造が簡略化され且つ発光面積の拡大をもたらす効果がある。

請求項（抜粋）：

(Alx Ga1-x )y In1-y P層を発光層として含むダブルヘテロ構造を有する発光ダイオードに於いて、該発光層とヘテロ接合している上部クラッド層のドナー不純物またはアクセプター不純物がイオン注入されてなることを特徴とする化合物半導体発光ダイオード。

引用特許：

審査官引用 (2件)

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