特許
J-GLOBAL ID：200903089677437487
薄膜製造方法及びその装置
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
小鍜治 明 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-292977
公開番号（公開出願番号）：特開平5-135988
出願日： 1991年11月08日
公開日（公表日）： 1993年06月01日
要約：
【要約】【目的】 ダスト発生を抑え、製品の歩留まりの改善を図ることができる薄膜製造方法及び装置を提供する。【構成】 真空槽5内に支持体9により周囲と電気的に絶縁されてかつ電圧が印加できる防着板8と付着物除去用のガス導入部13を設け、薄膜形成終了後に付着物除去用のガスを導入し、防着板8に電圧を印加してプラズマを発生させ、防着板表面の付着物をエッチング除去し、取り除いてから真空を破壊することによりダストの発生を抑えて基板の取り出しができる。
請求項（抜粋）：
真空を利用した薄膜製造方法であって、薄膜形成終了後、防着板に電圧を印加してプラズマを発生させ、前記防着板上の付着物を除去した後真空破壊をすることを特徴とする薄膜製造方法。
IPC (3件)：
H01F 41/14
, C23C 14/58
, G11B 5/31
