低消費電力半導体メモリ装置

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：藤村元彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-045848
公開番号（公開出願番号）：特開平7-254286
出願日： 1994年03月16日
公開日（公表日）： 1995年10月03日
要約：

【要約】【目的】電力消費を抑えつつより速いアクセスタイムにて記憶データの読出しを行うことが可能な低消費電力半導体メモリ装置を提供することを目的とする。【構成】メモリセルに記憶されている情報信号及びこの情報信号の信号論理値を反転した反転情報信号の各々が引き出される一対のビットライン上の信号論理状態に基づいて情報信号がビットライン上に引き出されたことを検出し、この際、かかるビットライン上の情報信号をデータ信号バス上に読出す。

請求項（抜粋）：

情報信号が記憶されているメモリセルと、前記メモリセルに記憶されている情報信号及び前記情報信号の信号論理値を反転した反転情報信号の各々が引き出される一対のビットラインと、前記ビットライン各々の信号論理値に基づいて前記ビットライン上に前記情報信号が引き出されたことを検出して情報検出信号を発生する情報信号検出手段と、前記情報検出信号に応じて前記ビットライン上の情報信号をデータ信号バスに読出す情報信号読出手段とを有することを特徴とする低消費電力半導体メモリ装置。

引用特許：

審査官引用 (2件)

特開昭62-086599
特開昭60-072045

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