特許
J-GLOBAL ID:200903089683429615
基板上に導電性金属領域を製造する方法
発明者:
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出願人/特許権者:
代理人 (8件):
山崎 行造
, 杉山 直人
, 白銀 博
, 赤松 利昭
, 奥谷 雅子
, 田坂 一朗
, 星 貴子
, 木戸 基文
公報種別:公表公報
出願番号(国際出願番号):特願2006-502211
公開番号(公開出願番号):特表2006-516818
出願日: 2004年01月28日
公開日(公表日): 2006年07月06日
要約:
基板上へ金属イオン溶液のデポジット、及び、基板上への還元剤溶液のデポジット、を含む、基板上に導電性金属領域を形成する方法が提供される。これらの金属イオン及び還元剤は、基板上に導電性金属領域を形成するために、反応溶液の中で反応する。
請求項(抜粋):
導電性金属領域を基板上に形成する方法であって、基板上に導電性金属領域を形成するために、金属イオン及び還元剤が反応溶液中で互いに反応するように、金属イオンの溶液を基板上にデポジットする工程、及び、還元剤を基板上にデポジットする工程を含む方法。
IPC (4件):
H05K 3/18
, H05K 3/10
, G06K 19/07
, G06K 19/077
FI (5件):
H05K3/18 H
, H05K3/18 B
, H05K3/10 D
, G06K19/00 H
, G06K19/00 K
Fターム (15件):
5B035AA04
, 5B035BA03
, 5B035BB09
, 5B035CA01
, 5B035CA23
, 5E343BB23
, 5E343BB24
, 5E343BB25
, 5E343BB44
, 5E343BB47
, 5E343CC73
, 5E343DD13
, 5E343DD33
, 5E343GG08
, 5E343GG11
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