特許
J-GLOBAL ID:200903089683429615

基板上に導電性金属領域を製造する方法

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (8件): 山崎 行造 ,  杉山 直人 ,  白銀 博 ,  赤松 利昭 ,  奥谷 雅子 ,  田坂 一朗 ,  星 貴子 ,  木戸 基文
公報種別:公表公報
出願番号(国際出願番号):特願2006-502211
公開番号(公開出願番号):特表2006-516818
出願日: 2004年01月28日
公開日(公表日): 2006年07月06日
要約:
基板上へ金属イオン溶液のデポジット、及び、基板上への還元剤溶液のデポジット、を含む、基板上に導電性金属領域を形成する方法が提供される。これらの金属イオン及び還元剤は、基板上に導電性金属領域を形成するために、反応溶液の中で反応する。
請求項(抜粋):
導電性金属領域を基板上に形成する方法であって、基板上に導電性金属領域を形成するために、金属イオン及び還元剤が反応溶液中で互いに反応するように、金属イオンの溶液を基板上にデポジットする工程、及び、還元剤を基板上にデポジットする工程を含む方法。
IPC (4件):
H05K 3/18 ,  H05K 3/10 ,  G06K 19/07 ,  G06K 19/077
FI (5件):
H05K3/18 H ,  H05K3/18 B ,  H05K3/10 D ,  G06K19/00 H ,  G06K19/00 K
Fターム (15件):
5B035AA04 ,  5B035BA03 ,  5B035BB09 ,  5B035CA01 ,  5B035CA23 ,  5E343BB23 ,  5E343BB24 ,  5E343BB25 ,  5E343BB44 ,  5E343BB47 ,  5E343CC73 ,  5E343DD13 ,  5E343DD33 ,  5E343GG08 ,  5E343GG11

前のページに戻る