特許

J-GLOBAL ID：200903089684940640

ナノスケール製品、及びナノスケール製品または原子スケール製品の製造方法

発明者： クラーク ロバート グラハム ,  カーソン ネイル ジョナサン ,  ハラム トビー ,  オベルベック ラーズ ,  ショフィールド スティーブン リチャード ,  シモンズ マイケル イボン
出願人/特許権者： ユニサーチ リミテッド
代理人 (1件)： 相田 伸二
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-523137
公開番号（公開出願番号）：特表2005-500706
出願日： 2002年08月20日
公開日（公表日）： 2005年01月06日
要約：

電気的に活性なドナー原子のパターンが形成されたレイヤーが、アニールまたは熱処理によって、シリコン結晶の表面上に結合される。このレイヤーは、シリコンのエピタキシャル成長により、カプセル化されるであろう。パターンが形成されたレイヤーは、リン原子を有しており、リン原子は、選択的に脱離された水素の保護レイヤーをホスフィンガスに曝露することにより形成される。このドナー原子は、固体量子コンピュータ内のキュービットとして用いられるであろう。

請求項（抜粋）：

量子コンピュータなどの原子スケールデバイスの製造工程における中間製品である、ナノスケール製品において、 シリコン結晶の表面のシリコン原子がドナー原子に置換されて、互いに100nm以下の間隔で配置されたドナー原子のアレイが形成されており、かつ当該ドナー原子が電気的に活性である、シリコン結晶を有する、 ナノスケール製品。

IPC (4件)：

H01L29/06 ,  B82B1/00 ,  B82B3/00 ,  H01L29/66

FI (4件)：

H01L29/06 601N ,  B82B1/00 ,  B82B3/00 ,  H01L29/66 Z