特許

J-GLOBAL ID：200903089685571192

半導体装置

発明者： 那須 徹 ,  藤井 英治 ,  大槻 達男 ,  上本 康裕
出願人/特許権者： 松下電子工業株式会社
代理人 (1件)： 小鍜治 明 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-060034
公開番号（公開出願番号）：特開平5-267557
出願日： 1992年03月17日
公開日（公表日）： 1993年10月15日
要約：

【要約】【目的】 半導体装置内部にバイパスコンデンサを内蔵し、不要輻射を減少させる。【構成】 リードフレームのダイパッド2上には支持基板3が接合されており、支持基板3上には半導体基板7が接合されている。支持基板3上には、第1の導電性膜4と強誘電体薄膜5と第2の導電性膜6とが積層されており、それぞれ下電極、容量絶縁膜、上電極としてコンデンサを構成している。半導体基板9に作り込まれた集積回路上の電源端子9aは第1の導電性膜4と、グランド端子9bは第2の導電性膜6とそれぞれ電気的に接続されている。以上の構成により、半導体装置の内部にバイパスコンデンサが内蔵されることになり、電流のループを小さくでき、不要輻射を低減できる。

請求項（抜粋）：

リードフレームのダイパッド上に第1の導電性膜と強誘電体薄膜と第2の導電性膜とを順次積層した支持基板と集積回路が作り込まれた半導体基板とが搭載されており、集積回路上の第1の電極と第1の導電性膜とリードフレームの第1のリードとが電気的に接続され、集積回路上の第2の電極と第2の導電性膜とリードフレームの第2のリードとが接続されている半導体装置。