特許

J-GLOBAL ID：200903089686378558

成膜方法

発明者： 中村 裕子 ,  駒野 治樹 ,  狩谷 光代 ,  井上 壮一 ,  杉原 和佳 ,  森 一朗 ,  堀岡 啓治 ,  三好 元介 ,  渡辺 徹 ,  岡野 晴雄 ,  奥村 勝弥 ,  滝川 忠宏 ,  山崎 裕一郎
出願人/特許権者： 株式会社東芝
代理人 (1件)： 鈴江 武彦 (外6名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-215906
公開番号（公開出願番号）：特開2002-088478
出願日： 1993年11月02日
公開日（公表日）： 2002年03月27日
要約：

【要約】【課題】凸状欠陥或いは凹状欠陥のいずれであっても基板表面に合わせて平坦に修正することのできる構造体の欠陥修正プロセスで利用可能な成膜方法を提供すること。【解決手段】本発明の成膜方法は、Si-O-Si結合及びSi-H結合を有する材料を構造体の表面に供給するとともに前記材料を供給された前記表面の所望の部分に集束イオンビームを照射するFIBアシストデポジションによりシリコン酸化膜を形成する工程を含むことを特徴とする。

請求項（抜粋）：

Si-O-Si結合及びSi-H結合を有する材料を構造体の表面に供給するとともに前記材料を供給された前記表面の所望の部分に集束イオンビームを照射するFIBアシストデポジションによりシリコン酸化膜を形成する工程を含むことを特徴とする成膜方法。

IPC (3件)：

C23C 16/48 ,  C23C 16/40 ,  G03F 1/08

FI (3件)：

C23C 16/48 ,  C23C 16/40 ,  G03F 1/08 T

Fターム (10件)：

2H095BA01 ,  2H095BB03 ,  2H095BD38 ,  4K030AA01 ,  4K030AA06 ,  4K030AA09 ,  4K030AA14 ,  4K030BA44 ,  4K030FA12 ,  4K030LA11

引用特許：

審査官引用 (2件)

• 特開平3-016127
  
• 特開平4-107270