特許

J-GLOBAL ID：200903089699658193

半導体レーザ

発明者： 内田 智士 ,  井川 克彦 ,  股木 宏至
出願人/特許権者： ローム株式会社
代理人 (1件)： 朝日奈 宗太 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-169669
公開番号（公開出願番号）：特開平6-013707
出願日： 1992年06月26日
公開日（公表日）： 1994年01月21日
要約：

【要約】【目的】 高出力動作までの単一横モードが可能な屈折率導波型構造でありながら低出力動作(たとえば光出力3mW)においてマルチ縦モード発振である自己整合型のMQW構造の高出力半導体レーザを提供する。【構成】 複屈折率導波機構を有するAlGaAs系自己整合型のMQW構造半導体レーザであって、電流制限層6の膜厚が6000〜2000Åである。

請求項（抜粋）：

複素屈折率導波機構を有するAlGaAs系自己整合型のMQW構造半導体レーザであって、電流制限層の膜厚が6000〜2000Åであることを特徴とする半導体レーザ。