特許
J-GLOBAL ID:200903089699658193

半導体レーザ

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 朝日奈 宗太 (外2名)
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平4-169669
公開番号(公開出願番号):特開平6-013707
出願日: 1992年06月26日
公開日(公表日): 1994年01月21日
要約:
【要約】【目的】 高出力動作までの単一横モードが可能な屈折率導波型構造でありながら低出力動作(たとえば光出力3mW)においてマルチ縦モード発振である自己整合型のMQW構造の高出力半導体レーザを提供する。【構成】 複屈折率導波機構を有するAlGaAs系自己整合型のMQW構造半導体レーザであって、電流制限層6の膜厚が6000〜2000Åである。
請求項(抜粋):
複素屈折率導波機構を有するAlGaAs系自己整合型のMQW構造半導体レーザであって、電流制限層の膜厚が6000〜2000Åであることを特徴とする半導体レーザ。

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