特許
J-GLOBAL ID：200903089701740390
量子井戸構造半導体レーザ装置及び製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
泉名 謙治
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-172009
公開番号（公開出願番号）：特開平5-343813
出願日： 1992年06月05日
公開日（公表日）： 1993年12月24日
要約：
【要約】【目的】瞬時光学損傷による端面破壊を防止し、より高出力で、かつ動作特性が安定し、高効率で高信頼性を目的とする。【構成】量子井戸型活性層を、共振器の端面側でのストライプ幅と厚みに対して、内部に向けて徐々にストライプ幅を狭くし、かつ活性層の厚みを厚くしてなることを特徴とする半導体レーザ装置。
請求項（抜粋）：
単一または多重の量子井戸構造の活性層を備え、第1の端面と第2の端面を備えた半導体レーザ装置において、第1の端面および第2の端面の少なくとも一方に対応する端面側の活性層のエネルギバンドギャップ値が、中央部の活性層のエネルギバンドギャップ値よりも、大きくしてなることを特徴とする半導体レーザ装置。
IPC (2件)：
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