特許

J-GLOBAL ID：200903089707433104

半導体装置

発明者： 細川 徹
出願人/特許権者： 京セラ株式会社
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-250830
公開番号（公開出願番号）：特開平11-097584
出願日： 1997年09月16日
公開日（公表日）： 1999年04月09日
要約：

【要約】【課題】 裏面に接地電極を有する半導体素子をフリップチップ実装した半導体装置において半導体素子の良好な接地状態を確保することが困難であった。【解決手段】 絶縁基板1の上面の半導体素子搭載部に、上面に接地電極3が形成された半導体素子2を搭載させるとともに、半導体素子搭載部内に形成された配線電極パッド5と半導体素子の下面に形成された配線電極4とを導電性相互接続部材8により電気的に接続させて成り、かつ、半導体素子2の接地電極3と半導体素子搭載部の近傍に形成された接地電極パッド6とが半田もしくは導電性ペースト9で接続され、さらに半導体素子2と接地電極パッド6と半田もしくは導電性ペースト9とが封止樹脂10で封止されている半導体装置である。半導体素子2の良好な接地状態を確保でき、半導体装置の小型化を図ることができる。

請求項（抜粋）：

絶縁基板の上面に形成された半導体素子搭載部に、上面に接地電極が形成された半導体素子を搭載させるとともに、前記半導体素子搭載部内に形成された配線電極パッドと前記半導体素子の下面に形成された配線電極とを導電性相互接続部材により電気的に接続させて成り、かつ、前記半導体素子の接地電極と前記半導体素子搭載部の近傍に形成された接地電極パッドとが半田もしくは導電性ペーストで接続され、さらに前記半導体素子と前記接地電極パッドと前記半田もしくは導電性ペーストとが封止樹脂で封止されていることを特徴とする半導体装置。

IPC (4件)：

H01L 23/12 301 ,  H01L 23/12 ,  H01L 21/60 311 ,  H01L 23/28

FI (4件)：

H01L 23/12 301 C ,  H01L 21/60 311 S ,  H01L 23/28 A ,  H01L 23/12 E