特許
J-GLOBAL ID：200903089709046060
強誘電性液晶の誘電率測定方法および測定装置
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
青山 葆 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-209379
公開番号（公開出願番号）：特開平7-035797
出願日： 1993年08月24日
公開日（公表日）： 1995年02月07日
要約：
【要約】【目的】 強誘電性液晶の主軸誘電率ε1,ε2,ε3を正確に測定する。【構成】 測定対象の強誘電性液晶からなるスメクチック層が基板に対して平行をなす垂直配向セルと、上記強誘電性液晶からなるスメクチック層が基板に対して「く」の字状に折れ曲がって傾斜したシェブロン層構造を持つ水平配向セルとを用意する。垂直配向セルに液晶分子の配向が変化しないレベルの高周波プローブ電圧を印加して誘電率εhを測定する。上記水平配向セルに上記プローブ電圧を印加して誘電率εpを測定する。上記水平配向セルに直流または低周波のバイアス電圧を印加して上記スメクチック層内の液晶分子の自発分極を一定方向に揃えた状態で、上記プローブ電圧を印加して誘電率εpDCを測定する。上記3つの誘電率εh,εp,εpDCに基づいて、所定の関係式により、上記主軸誘電率ε1,ε2,ε3を求める。
請求項（抜粋）：
互いに対向し対向面に電極を有する一対の基板の隙間に強誘電性液晶を封止した状態で、上記電極に液晶分子の配向が変化しないレベルの高周波のプローブ電圧を印加して誘電率を測定し、この誘電率に基づいて上記強誘電性液晶の液晶分子の長軸方向の主軸誘電率ε3、上記液晶分子の自発分極の方向の主軸誘電率ε2、および、上記長軸方向と自発分極の方向とに直交する方向の主軸誘電率ε1を求める強誘電性液晶の誘電率測定方法であって、上記強誘電性液晶からなるスメクチック層が上記基板に対して平行をなす垂直配向セルと、上記強誘電性液晶からなるスメクチック層が上記基板に対して「く」の字状に折れ曲がって傾斜したシェブロン層構造を持つ水平配向セルとを用意して、上記垂直配向セルの上記電極に上記プローブ電圧を印加して、上記強誘電性液晶の誘電率εhを測定し、上記水平配向セルの上記電極に上記プローブ電圧を印加して、上記強誘電性液晶の誘電率εpを測定し、上記水平配向セルの上記電極に直流または低周波のバイアス電圧を印加して上記スメクチック層内の液晶分子の自発分極を一定方向に揃えた状態で、上記プローブ電圧を印加して、上記強誘電性液晶の誘電率εpDCを測定し、上記3つの誘電率εh,εp,εpDCに基づいて、所定の関係式により、上記主軸誘電率ε1,ε2,ε3を求めることを特徴とする強誘電性液晶の誘電率測定方法。
IPC (2件)：
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