特許
J-GLOBAL ID：200903089712052410
パワー集積回路
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
山口 巖
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-187172
公開番号（公開出願番号）：特開平6-037320
出願日： 1992年07月15日
公開日（公表日）： 1994年02月10日
要約：
【要約】【目的】電力用スイッチング素子とそれと同一半導体素体に集積された過電圧吸収用ツエナダイオードとの間に寄生MOSFETが形成されないようにする。【構成】電力用スイッチング素子とツエナダイオードとの同一導電形領域の間の高抵抗層の表面上に絶縁膜のみを存在させ、スイッチング素子の電極に接続されて電位が変動する導体が、その表面上に存在しないようにして、両領域間にチャネルが形成されないようにする。
請求項（抜粋）：
少なくとも第一導電形の半導体層の表面層に形成された第二導電形の領域を有するスイッチング素子への過電圧印加防止用のツエナダイオードが前記半導体層とその表面層に形成された第二導電形の領域とよりなるものにおいて、スイッチング素子の第二導電形の領域とツエナダイオードの第二導電形の領域の間の半導体層の表面上に絶縁膜のみが存在し、スイッチング素子の電極に接続される導体が存在しないことを特徴とするパワー集積回路。
引用特許：
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