静電チャックを備えた半導体製造装置および静電チャックからのウエハ離脱方法

発明者： , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：宮田金雄 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-193011
公開番号（公開出願番号）：特開2000-031252
出願日： 1998年07月08日
公開日（公表日）： 2000年01月28日
要約：

【要約】【課題】静電チャックからのウエハの離脱が、ウエハ裏面酸化膜がどのような厚さであっても、スムーズにできるようにして、ウエハの位置ずれやウエハの破壊などが生じるのを防ぐ。【解決手段】ウエハの処理前にウエハ裏面酸化膜の厚さを検知し、その厚さに応じた一連の電圧シーケンス(離脱シーケンス)を印加する。この印加により、ウエハの離脱がスムーズに行われる。

請求項（抜粋）：

静電チャックを用いてウエハを吸着して保持するウエハプロセスでの上記静電チャックからのウエハ離脱方法において、上記ウエハに施す所定の処理の開始前に上記ウエハの裏面の酸化膜の厚さを検知し、その検知した厚さに応じて、上記処理後に上記静電チャックに一連の電圧シーケンスを印加して上記ウエハを離脱させることを特徴とする静電チャックからのウエハ離脱方法。

IPC (3件)：

H01L 21/68 , B23Q 3/15 , H02N 13/00

FI (3件)：

H01L 21/68 R , B23Q 3/15 D , H02N 13/00 D

Fターム (10件)：

3C016GA10 , 5F031CC13 , 5F031FF03 , 5F031GG02 , 5F031GG20 , 5F031KK07 , 5F031KK09 , 5F031LL03 , 5F031LL05 , 5F031LL07

前のページに戻る