特許
J-GLOBAL ID：200903089717369242
半導体素子の電極形成方法
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
小鍜治 明 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-015188
公開番号（公開出願番号）：特開平6-232136
出願日： 1993年02月02日
公開日（公表日）： 1994年08月19日
要約：
【要約】【目的】 電子機器、特にハイブリッドICに使用される半導体素子の電極形成方法において、工程数の削減および製造設備の簡略化をするとともに、更には、電極形成過程において半導体素子にダメージを与える等の課題を解決し、簡単な操作で半導体素子のAl電極にのみ下地金属層や突起電極を安定的に高歩留まりで形成することを目的とする。【構成】 Al電極12を有する半導体素子11を還元剤を溶かした液でAl表面を活性化した後、金属塩と錯形成剤を含む活性化ストライク液に浸漬し、続いて無電解Niめっき液でNi電極膜15を形成し、さらに酸化還元反応型の無電解Niめっき液でNi突起電極22を形成する。さらに置換Auめっきで0.05μm程度のAu層23を形成した後、アスコルビン酸を還元剤とする非シアン系で酸化還元反応型のAuめっき液を用いて厚くAuめっき膜29を形成することにより、フェースダウン実装が可能な突起電極30が得られる。
請求項（抜粋）：
半導体素子のアルミニウム電極を酸性液あるいはアルカリ性液によりエッチング処理した後、還元剤溶液に浸漬することにより前記アルミニウム電極表面を活性化し、さらに前記還元剤溶液を前記アルミニウム電極表面に付着させた状態で前記半導体素子を金属塩と錯形成剤を含む活性化ストライク液に浸漬した後、この活性化ストライク液を前記アルミニウム電極表面に付着させた状態で前記アルミニウム電極を酸化還元反応型の無電解ニッケルめっき液に浸漬することによりめっきを行うことを特徴とする半導体素子の電極形成方法。
IPC (2件)：
H01L 21/321
, H01L 21/288
H01L 21/92 F
, H01L 21/92 D
