特許

J-GLOBAL ID：200903089721434008

半導体装置およびその製造方法

発明者： 重田 淳二 ,  宮崎 勝
出願人/特許権者： 株式会社日立製作所
代理人 (1件)： 薄田 利幸
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-236580
公開番号（公開出願番号）：特開平9-082940
出願日： 1995年09月14日
公開日（公表日）： 1997年03月28日
要約：

【要約】【目的】半導体基板の表面側および裏面側電極の位置が互いに対応し、すぐれた特性を有し、所要面積の小さい半導体装置およびその製造方法を提供する。【構成】半導体基板の表面側に電極など各種パターンを形成した後、上記半導体基板の厚さを薄くし、上記半導体基板の裏面上に形成されたホトレジスト膜に、上記表面側からの透過光を照射して、上記各種パターンを裏面側に転写し、表面側の上記各種パターッと位置整合されたパターンを裏面側に形成する。【効果】チャネル層の表面と裏面に、位置整合された電極を有する電界効果トランジスタやヘテロバイポーラトランジスタを形成することができ、極めて優れた特性が得られる。

請求項（抜粋）：

単結晶半導体膜の表面上の所定の位置に形成された表面電極と、上記半導体膜の裏面上に形成された裏面電極を具備し、当該裏面電極の断面形状は逆T字型であることを特徴とする半導体装置。

IPC (7件)：

H01L 29/68 ,  H01L 21/027 ,  H01L 29/41 ,  H01L 21/331 ,  H01L 29/73 ,  H01L 21/338 ,  H01L 29/812

FI (5件)：

H01L 29/68 ,  H01L 21/30 531 Z ,  H01L 29/44 Z ,  H01L 29/72 ,  H01L 29/80 U