特許

J-GLOBAL ID：200903089722189163

固体撮像装置およびその製造方法

発明者： 安部 征吾 ,  柴田 英紀 ,  猪熊 英幹
出願人/特許権者： 株式会社東芝
代理人 (1件)： 鈴江 武彦 (外6名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-197463
公開番号（公開出願番号）：特開2000-031451
出願日： 1998年07月13日
公開日（公表日）： 2000年01月28日
要約：

【要約】【課題】固体イメージセンサにおいて、画素となるフォトダイオードの電荷蓄積用の「容量」を減少させることなく光電変換の「感度」を上昇させる。【解決手段】半導体基板11と、半導体基板の表層部に形成されたPウエル12と、Pウエルの表層部で絶縁分離された素子領域内に形成されたN型不純物領域を有するフォトダイオードおよびフォトダイオードから信号を読み出すためのNMOSトランジスタの活性領域を含む単位セルが二次元の行列状に配置された撮像領域とを具備し、フォトダイオードのN型不純物領域171の底面部は少なくとも2つ以上の凸部172を有する。

請求項（抜粋）：

半導体基板と、前記半導体基板の表層部に形成されたPウエルと、前記Pウエルの表層部で絶縁分離された素子領域内に形成されたN型不純物領域を有するフォトダイオードおよび前記フォトダイオードから信号を読み出すためのNMOSトランジスタの活性領域を含む単位セルが二次元の行列状に配置された撮像領域とを具備し、前記フォトダイオードのN型領域の底面部は少なくとも2つ以上の凸部を有することを特徴とする固体撮像装置。

IPC (2件)：

H01L 27/146 ,  H04N 5/335

FI (2件)：

H01L 27/14 A ,  H04N 5/335 U

Fターム (18件)：

4M118AA01 ,  4M118AB01 ,  4M118BA14 ,  4M118CA03 ,  4M118CA18 ,  4M118DD04 ,  4M118EA14 ,  4M118FA06 ,  4M118FA28 ,  4M118FA33 ,  4M118FA42 ,  5C024AA01 ,  5C024CA12 ,  5C024CA15 ,  5C024CA31 ,  5C024FA01 ,  5C024GA01 ,  5C024GA31