特許
J-GLOBAL ID：200903089722369510
半導体レーザ素子およびその製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
山本 秀策
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-163666
公開番号（公開出願番号）：特開平7-022697
出願日： 1993年07月01日
公開日（公表日）： 1995年01月24日
要約：
【要約】【目的】 半導体レーザ素子を構成する結晶中に添加された不純物の内部拡散を抑えることにより、高い信頼性を有する半導体レーザ素子とする。【構成】 Alを含む結晶から構成され、活性層3を含む共振器の光出射端面2に、活性層3を構成する結晶よりもバンドギャップの大きい結晶からなる端面成長層4が形成されている。この端面成長層4は、有機金属気相成長法または分子線エピタキシャル成長法により、500°C以下の成長温度で成長されたものである。
請求項（抜粋）：
Alを含む結晶から構成され、活性層を含む共振器の光出射端面に、該活性層を構成する結晶よりもバンドギャップの大きい結晶からなる端面成長層が形成された半導体レーザ素子において、該端面成長層が、有機金属気相成長法または分子線エピタキシャル成長法により、500°C以下の成長温度で成長されたものである半導体レーザ素子。
引用特許：
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