特許
J-GLOBAL ID：200903089728378642
半導体光デバイス
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
谷 義一 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-010812
公開番号（公開出願番号）：特開平6-222406
出願日： 1993年01月26日
公開日（公表日）： 1994年08月12日
要約：
【要約】【構成】 本発明の半導体光デバイスは、少なくとも一部分にノンドープ層を有するコア層と、少なくとも一つの導電性クラッド層とを持つ半導体光デバイスにおいて、導電性クラッドの少なくとも一部よりも不純物のドーピング濃度が高い層がノンドーピング層に隣接して設けられたことを特徴とする。【効果】 したがってダイオードとしての特性、消光比特性、光スイッチング特性等が改善されるとともに、挿入損失の点でも従来のものと比べて優れている。
請求項（抜粋）：
少なくとも一部分にノンドープ層を有するコア層と、少なくとも一つの導電性クラッド層とを持つ半導体光デバイスにおいて、前記導電性クラッド層の少なくとも一部よりも不純物のドーピング濃度が高い層が前記ノンドープ層に隣接して設けられたことを特徴とする半導体光デバイス。
IPC (4件)：
G02F 1/35
, G02B 6/12
, G02F 1/313
, H01S 3/10
