特許

J-GLOBAL ID：200903089730937683

半導体製造方法

発明者： 山中 滋夫
出願人/特許権者： 松下電器産業株式会社
代理人 (1件)： 有我 軍一郎
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-170827
公開番号（公開出願番号）：特開2000-012649
出願日： 1998年06月18日
公開日（公表日）： 2000年01月14日
要約：

【要約】【課題】 本発明は、エッチング処理が終了して洗浄処理を待つウェハをできるだけ真空状態に保ち、大気圧状態にある時間を最小限にして、搬送予備室に待機するウェハにアフターコロージョンが発生するのを抑制することができる半導体製造方法を提供するものである。【解決手段】 搬送予備室13内でウェハを大気圧パージする時間T1およびウェハを洗浄チャンバ12で洗浄するのに要する時間から洗浄処理の残り時間T2を予め計測し、真空チャンバ11内でエッチング処理が終了したウェハを洗浄チャンバ12に搬送する前に搬送予備室13で待機させる際、搬送予備室13を真空状態に維持し、大気圧パージ時間T1と残り時間T2が略一致するタイミングで搬送予備室13を大気圧状態に切換える。

請求項（抜粋）：

真空状態でウェハにエッチング処理を施す真空チャンバと、大気圧状態でウェハの洗浄処理を施す洗浄チャンバと、該真空チャンバと洗浄チャンバおよび外部と連通可能に設けられ、前記真空チャンバ、洗浄チャンバおよび外部の間でウェハを搬送するために真空状態と大気圧状態に適宜切換え可能な搬送予備室とを有し、真空チャンバ内でエッチング処理が終了したウェハを搬送予備室に搬送して大気圧パージ処理を行なった後、洗浄チャンバ内に搬送して洗浄処理を連続して行なうようにした半導体製造方法において、前記搬送予備室内でウェハを大気圧パージする時間T1およびウェハを洗浄チャンバで洗浄するのに要する時間から洗浄処理の残り時間T2を予め計測し、前記真空チャンバ内でエッチング処理が終了したウェハを洗浄チャンバに搬送する前に搬送予備室で待機させる際、搬送予備室を真空状態に維持し、前記大気圧パージ時間T1と前記残り時間T2が略一致するタイミングで搬送予備室を大気圧状態に切換えることを特徴とする半導体製造方法。

IPC (4件)：

H01L 21/68 ,  H01L 21/3065 ,  H01L 21/304 648 ,  H01L 21/304

FI (4件)：

H01L 21/68 A ,  H01L 21/304 648 G ,  H01L 21/304 648 J ,  H01L 21/302 A

Fターム (6件)：

5F004BC05 ,  5F004BC06 ,  5F031KK02 ,  5F031KK06 ,  5F031LL02 ,  5F031LL05