不揮発性半導体記憶装置

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：深見久郎 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-228294
公開番号（公開出願番号）：特開平6-077496
出願日： 1992年08月27日
公開日（公表日）： 1994年03月18日
要約：

【要約】【目的】浮遊ゲート電極の表面および端部の凹凸を小さくすることにより良好な特性と高い信頼性を有する不揮発性半導体記憶装置を提供する。【構成】シリコン基板1の表面上に第1ゲート酸化シリコン膜を介在して浮遊ゲート電極7が形成されている。この浮遊ゲート電極7の表面上に第2ゲート絶縁膜8を介在してコントロールゲート電極9が形成されている。この浮遊ゲート電極7の下側領域を挟むようにシリコン基板1の表面には1対のソース不純物拡散層18とドレイン不純物拡散層19が形成されている。この浮遊ゲート電極7は単結晶よりなっている。

請求項（抜粋）：

半導体基板の表面上に第1の絶縁膜を介在して形成されたフローティングゲートと、前記フローティングゲートの表面上に第2の絶縁膜を介在して形成されたコントロールゲートとを備えた不揮発性半導体記憶装置において、前記フローティングゲートが単結晶よりなることを特徴とする、不揮発性半導体記憶装置。

IPC (5件)：

H01L 29/788 , H01L 29/792 , G11C 16/02 , G11C 16/04 , H01L 27/115

FI (3件)：

H01L 29/78 371 , G11C 17/00 307 D , H01L 27/10 434

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