特許
J-GLOBAL ID:200903089739870042

発光素子および発光素子パッケージ

発明者:
出願人/特許権者:
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2000-093411
公開番号(公開出願番号):特開2001-284644
出願日: 2000年03月30日
公開日(公表日): 2001年10月12日
要約:
【要約】 (修正有)【課題】樹脂焼けを低減し、長期間安定に高輝度を維持できる発光素子および発光素子パッケージを提供する。【解決手段】発光素子の端部に、発光領域よりも前記基板側に形成された積層面方向とほぼ平行な前記半導体層または前記基板の露出面が形成され、第1の絶縁膜が少なくとも前記露出面上に形成されており、前記露出面上における前記露出面に垂直方向に対する前記第1の絶縁膜の最小膜厚が、前記露出面から前記発光領域の上部までの高さよりも大きい。これによって、発光領域端面から出射する出射光を拡散させることができ、出射光の特定部分への集中を低減することができる。
請求項(抜粋):
基板上に少なくともp型半導体層とn型半導体層が積層された発光素子であって、発光素子の端部に、発光領域よりも前記基板側に形成された積層面方向とほぼ平行な前記半導体層または前記基板の露出面が形成され、第1の絶縁膜が少なくとも前記露出面上に形成されており、前記露出面上における前記露出面に垂直方向に対する前記第1の絶縁膜の最小膜厚が、前記露出面から前記発光領域の上部までの高さよりも大きいことを特徴とする発光素子。
FI (2件):
H01L 33/00 C ,  H01L 33/00 N
Fターム (6件):
5F041AA07 ,  5F041CA40 ,  5F041DA16 ,  5F041DA44 ,  5F041DA57 ,  5F041EE17

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