特許

J-GLOBAL ID：200903089741236202

研磨方法及び研磨装置および半導体装置の製造方法

発明者： 森山 茂夫 ,  山口 克彦 ,  本間 喜夫 ,  松原 直 ,  石田 吉弘 ,  河合 亮成
出願人/特許権者： 株式会社日立製作所
代理人 (1件)： 作田 康夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-031859
公開番号（公開出願番号）：特開2002-305168
出願日： 1995年09月13日
公開日（公表日）： 2002年10月18日
要約：

【要約】【課題】 ランニングコストが低く、且つ、パターン幅依存性が少なくて加工ダメージが発生しない研磨方法,研摩装置を提供する。【解決手段】 砥粒とそれらを結合する結合樹脂からなり、5乃至500kg/mm2の範囲の弾性率を有する砥石を研磨装置に備える。そして、凹凸を有する基板の表面31を平坦化加工する際に、弾性率の小さな研磨工具11Lで研磨した後、弾性率の大きな研磨工具11Lで研磨する。

請求項（抜粋）：

凹凸パターンが形成されている基板の表面上に絶縁膜を形成する第1のステップと、上記絶縁膜の上面を研磨工具表面上に押しつけて相対運動させながら上記絶縁膜の上面を平坦化する第2のステップとを含む研磨方法において、上記研磨工具として、砥粒とこれら砥粒を結合,保持するための物質から構成され、弾性率が5乃至500kg/mm2の範囲の砥石を用い、上記第2のステップの研磨液として、純水を供給することを特徴とする研磨方法。

IPC (9件)：

H01L 21/304 622 ,  B24B 7/20 ,  B24D 3/00 320 ,  B24D 3/00 330 ,  B24D 3/28 ,  B24D 3/34 ,  C08J 5/14 CFB ,  B24B 37/04 ,  C08L 61:06

FI (9件)：

H01L 21/304 622 F ,  B24B 7/20 ,  B24D 3/00 320 A ,  B24D 3/00 330 Z ,  B24D 3/28 ,  B24D 3/34 Z ,  C08J 5/14 CFB ,  B24B 37/04 Z ,  C08L 61:06

Fターム (22件)：

3C043BB00 ,  3C043CC02 ,  3C043CC11 ,  3C058AA02 ,  3C058AA18 ,  3C058CB01 ,  3C058CB03 ,  3C058DA17 ,  3C063AA02 ,  3C063AB05 ,  3C063BB01 ,  3C063BB03 ,  3C063BB07 ,  3C063BC03 ,  3C063CC02 ,  3C063CC19 ,  3C063EE10 ,  3C063FF23 ,  4F071AA41 ,  4F071AB18 ,  4F071AB26 ,  4F071DA18

引用特許：

審査官引用 (8件)

• 特開昭61-152357
  
• ウエハ自動研削装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平5-275222   出願人：株式会社小松製作所
• 自動研磨システム
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-006912   出願人：三菱マテリアル株式会社, 三菱マテリアルシリコン株式会社
• 特開昭63-144966
  
• 特開昭63-150162
  
• マイクロスクラッチのない平滑面を形成するための半導体ウェハの化学機械的平坦化方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平5-028663   出願人：マイクロンテクノロジーインコーポレイテッド
• 半導体装置の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平3-340270   出願人：ソニー株式会社
• 半導体装置の製造方法及び半導体製造装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平7-021074   出願人：株式会社東芝